| engineerklub | Дата: Пятница, 15.10.2021, 11:46 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 29495
Статус: Offline
| Физика. Расчетно-Графическая Работа. 3-й семестр. 13-й вариант
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ
Описание:
1)Ширина запрещенной зоны кремния 1.1 эВ. Полупроводник обладает собственной проводимостью. Начальная температура кремния 43оС. На сколько градусов был нагрет полупроводник, если его сопротивление уменьшилось в 100 раз? Начертите график зависимости, объясните его.
2)Рассчитать концентрацию собственных носителей заряда в кремнии при 43оС, если N_C=N_V=2∙〖10〗^19 〖см〗^(-3) сравнить с концентрацией свободных электронов в меди при комнатной температуре.
3)Найдите плотность тока в образце кремния длинной 10 мм, если падение напряжения на нем 2 В. Подвижность электронов 0.19 м^2 Вс, а дырок 0.05 м^2 Вс.
4)Условие:
В p-n переходе, изготовленном на основе кремния при T = 300K, концентрация доноров N_Д=〖10〗^15 〖 см〗^(-3), с энергией активации ΔW_Д=0.04 эВ, концентрация акцепторов N_А=〖10〗^12 〖 см〗^(-3), с энергией активации ΔW_А=0.01 эВ.
Определить:
А) концентрации основных и неосновных носителей заряда в n и p полупроводниках;
Б) контактную разность потенциалов при отсутствии внешнего поля;
В) ширину p-n перехода (ε = 12);
Г) начертить энергетическую диаграмму p-n перехода.
СКАЧАТЬ
|
| |
| |
