| engineerklub | Дата: Четверг, 21.12.2023, 06:21 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37408
Статус: Offline
| Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант 04
Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание:
Лабораторная работа №1
«Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе»
1. Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
2. Принципиальная схема исследуемого каскада
Принципиальная схема резисторного каскада приведена на рисунке 1.
3. Предварительный расчет
Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rб\\\'б = 50 Ом; напряжение источника питания Eп=15В, ток покоя транзистора iк0=18,6мА.
Таблица 1 – Варианты значений емкостей
№ варианта: 4
С1, мкФ: 3
С2, мкФ: 4,0
С3, пФ: 500
С5, мкФ: 400
Перед выполнением работы требуется рассчитать следующие параметры усилителя:
- коэффициент усиления и сквозной коэффициент усиления по напряжению в области средних частот (без ООС по переменному току);
- входное сопротивление транзистора, включенного с ОЭ;
- общий коэффициент частотных искажений на нижней частоте (fн = 40 Гц) при заданных значениях емкостей Ср1, Ср2 и Сэ;
- общий коэффициент частотных искажений на верхней частоте (fв = 100 кГц) при заданных значениях входной динамической емкости транзистора Сбэ дин и емкости нагрузки Сн;
- относительный спад плоской вершины импульса большой длительности (tимп = 2мс) за счет разделительных емкостей Dобщ;
- время установления фронта импульса малой длительности (tимп = 5 мкс) tуст за счет влияния емкости нагрузки.
4. Схема исследования в среде моделирование Electronics Workbench
5. Исследование амплитудно-частотных (ЛАЧХ) характеристик усилителя с целью исследования влияния реактивных элементов
5.1 Исследование схемы без коррекции и без обратной связи по переменному току (С5 включен)
5.2 Исследование схемы без коррекции и без обратной связи по переменному току (С5 включен)
5.3 Исследование схемы с частотно-независимой обратной связью (С4 и С5 выключены)
5.4 Исследование схемы с эмиттерной высокочастотной коррекцией (С4 включен)
6. Исследование переходной характеристики каскада в области малых времен (tи = 5 мкс)
6.1 Исследование переходной характеристики схемы без коррекции и без учета влияния отрицательной обратной связи по переменному току (С5 включен)
6.2 Исследование переходной характеристики схемы без коррекции и без обратной связи по переменному току (С5 включен) при увеличении емкости нагрузки
6.3 Исследование переходной характеристики схемы с эмиттерной высокочастотной коррекцией (С5 выключен, С4 включен) при номинальном значении емкости нагрузки
7. Исследование переходной характеристики каскада в области больших времен (tи = 2 мс = 2000 мкс)
7.1 Исследование переходной характеристики схемы без коррекции (С5 включен)
7.2 Исследование переходной характеристики схемы без коррекции, при уменьшении Ср2 (С2) (в 2 раза)
7.3 Исследование переходной характеристики схемы с частотно-независимой обратной связью (C4 и С5 выключены)
8. Выводы по работе
9. Контрольные вопросы
1) Изобразить упрощенную эквивалентную схему транзистора для широкой полосы частот в системе физических параметров. Объяснить частотные свойства транзистора.
2) Изобразить эквивалентные схемы входной и выходной цепи резисторного каскада усиления для широкой полосы частот. Преобразовать схему для области нижних, средних и верхних частот.
3) По эквивалентной схеме выходной цепи резисторного каскада усиления для области нижних частот объяснить причины частотных и переходных искажений.
4) По эквивалентной схеме выходной цепи резисторного каскада усиления для области верхних частот объяснить причины частотных и переходных искажений.
5) Изобразить переходные характеристики резисторного каскада усиления в области больших и малых времен. Объяснить причины переходных искажений. Какими параметрами они оцениваются?
6) Объяснить действие большой емкости в цепи эмиттера на частотную характеристику.
7) Объяснить действие большой емкости в цепи эмиттера на переходную характеристику.
8) Объяснить действие эмиттерной высокочастотной коррекции с помощью малой емкости в цепи эмиттера на частотную характеристику.
9) Объяснить действие эмиттерной высокочастотной коррекции с помощью малой емкости в цепи эмиттера на переходную характеристику.
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
