| engineerklub | Дата: Пятница, 29.03.2024, 06:59 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37397
Статус: Offline
| Элементная база электронной техники. Вариант 36
Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание:
Лабораторная работа №2
ИЗУЧЕНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить типы, характеристики и параметры интегральных операционных усилителей (ИОУ).
Схема, согласно варианту 36: Сумматор
2. ЗАДАНИЕ
2.1 Привести схему устройства на ИОУ предусмотренную индивидуальным заданием.
2.2 Пояснить назначение устройства, привести виды амплитудный и амплитудно-частотной характеристик.
2.3 Оформить отчет о проделанной работе, отчет должен содержать:
- схему устройства;
- виды характеристик (амплитудной и АЧХ);
- список использованных источников информации.
3. ВЫПОЛНЕНИЕ
Список использованной литературы
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
| engineerklub | Дата: Пятница, 29.03.2024, 06:59 | Сообщение # 2 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37397
Статус: Offline
| Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание:
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 6
3. Расчёты 7
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 7
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 9
3.3. Определение выигрыша в массе 10
3.4. Определение выигрыша по потребляемой мощности 11
3.5. Определение выигрыша в стоимости 13
Список использованных источников 14
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
1. Исходные данные
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (таблица 1.1).
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, показаны в таблицах 1.2 – 1.5.
Интенсивности отказов элементов показаны в таблице 1.6.
Таблица 1.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 36
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5050
Тип транзистора: KT306AM
Тип ЭВП: 6С53Н
Тип БИС: ATF1508ASL
2. Задания к практическим занятиям
2.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
