| engineerklub | Дата: Среда, 19.06.2024, 07:32 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37336
Статус: Offline
| Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант 27
Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание:
Содержание
Задание на контрольную работу 3
1. Обоснование выбора типа усилительных элементов 4
1.1. Расчет рабочих частот усилителя 4
1.2. Выбор и обоснование схемы выходного каскада усилителя (ВКУ) 4
1.3. Выбор транзистора 5
1.4. Выбор режима работы транзистора ВКУ 7
1.5. Расчет стабилизации режима работы транзистора ВКУ 9
1.6. Расчет выходного каскада усиления по переменному току 11
1.7. Построение сквозной динамической характеристики и оценка нелинейных искажений в ВКУ 13
1.8. Выбор операционного усилителя и расчет принципиальной схемы 15
2. Выбор режима работы ОУ 17
3. Расчет элементов схемы группового усилителя 17
Приложение 1 19
Список использованной литературы 20
Задание на контрольную работу
Необходимо выбрать тип усилительных элементов и режим работы, рассчитать принципиальную схему. Принципиальная схема группового усилителя приведена на рисунке 1.
Исходные данные приведены в таблице 1.
Таблица 1 – Показатели усилителя (вариант 27)
Количество каналов, ТЧ: 80
Максимальная температура грунта: 35
Уровень передачи УП, дБ: 14,8
Требуемое затухание нелинейности:
- АГ02, дБ: 68
- АГ03, дБ: 73
Питание усилителя, В: 18
Допустимый коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте, Мн, дБ: 0,6
Волновое сопротивление кабеля, Ом: 75
Рабочее усиление, дБ: 51
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
| engineerklub | Дата: Среда, 19.06.2024, 07:33 | Сообщение # 2 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37336
Статус: Offline
| Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание:
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 27
Тип наноизделия: Intel Core 2 Duo E6600
Тип транзистора: KT316A
Тип ЭВП: 6С53Н
Тип БИС: ATF2500B
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, представлены в таблицах 1.2-1.5.
1.1 Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
