Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01

ВСЁ ДЛЯ СТУДЕНТА

Четверг, 19.02.2026, 20:43

Приветствую Вас, Гость

[ Новые сообщения · Участники · Правила форума · Поиск · RSS ]

Страница 1 из 1
1

Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01 (Работа Контрольная)

Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01

engineerklub

Дата: Среда, 03.07.2024, 06:55 | Сообщение # 1

Генералиссимус

Группа: Администраторы

Сообщений: 37336

Репутация: 1

Статус: Offline

Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01

Тип работы: Работа Контрольная
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ

Описание:
Поможем сдать все работы для студентов ДО СИБГУТИ.

АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ

Содержание

Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 5
3. Расчёты 6
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 6
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 8
3.3. Определение выигрыша в массе 9
3.4. Определение выигрыша по потребляемой мощности 9
3.5. Определение выигрыша в стоимости 10
Список использованных источников 12

Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.

1. Исходные данные
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (таблица 1.1).
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, показаны в таблицах 1.2 – 1.5.
Интенсивности отказов элементов показаны в таблице 1.6.

Таблица 1.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 1
Тип наноизделия: Intel Core 2 Duo E6300
Тип транзистора: KT316A
Тип ЭВП: 6С62Н
Тип БИС: ATF1500AL

2. Задания к практическим занятиям
2.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.

СКАЧАТЬ