| engineerklub | Дата: Среда, 03.07.2024, 09:49 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37336
Статус: Offline
| Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №14
Тип работы: Работа Контрольная
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание:
Поможем сдать все работы для студентов ДО СИБГУТИ.
Лабораторная работа №1
по дисциплине:
«Элементная база телекоммуникационных систем»
Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых базовых элементов. Количество типов ЦИМС и корпусов
ИМС должно быть по возможности минимальным.
2.3. На основе анализа данных задания обосновать выбор типа логики
(ТТЛ, ТТЛШ, КМДП) и подходящих по параметрам серий. При выборе ИМС возможно использование ИМС с различным типом логики (например, ТТЛ и ТТЛШ, ТТЛШ и КМДП и т.д.) при условии их совместимости по параметрам, совместимости по питанию (все ИМС должны питаться от одного источника).
2.4. Выводы о результатах выполненной работы (в частности, можно указать и другие варианты реализации устройства).
Разработка цифрового устройства
Преобразование уравнения
Задано исходное уравнение
Y2=X1⋅X2⋅X3+X4⋅X5⋅X6.
==============================================
Лабораторная работа №2
по дисциплине:
«Элементная база телекоммуникационных систем»
1 Цель работы
Изучить типы, характеристики и параметры интегральных операционных усилителей (ИОУ).
2 Задание
2.1 Привести схему устройства на ИОУ, предусмотренную
индивидуальным заданием.
3.2 Пояснить назначение устройства, привести виды амплитудный и
амплитудно-частотной характеристик.
3.3 Оформить отчет о проделанной работе, отчет должен содержать:
схему устройства;
виды характеристик (амплитудной и АЧХ);
список использованных источников информации.
3 Выполнение работы
В соответствии с вариантом, требуется изучить неинвертирующий усилитель.
Схема неинвертирующего усилителя приведена на рисунке 3.1.
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
| engineerklub | Дата: Среда, 03.07.2024, 09:49 | Сообщение # 2 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37336
Статус: Offline
| Контрольная работа
по дисциплине:
«Элементная база телекоммуникационных систем»
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
Таблица 2.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
14 Dual-Core Intel Xeon 5150 КТ355А 6С62Н ATF1504ASV
Таблица 2.2 – Параметры ЭВП
№ Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
12 6С62Н 135 6,3 4 120 12 11 20 2,5 240
Таблица 2.3 – Параметры транзисторов
№ Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
15 КТ355А 30 10 9,4 6,6 0,5 44,25
Таблица 2.4 – Параметры БИС
№ Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
11 ATF1504ASV 130 6000 3,3 100 144 1,2 12 190,32
Таблица 2.5 – Параметры наноизделий
№ Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Технология, нм Цена, руб.
Min Max Min Max
2 Dual-Core Intel Xeon 5150 321 771 65 95 2,66 80 1,2 1,4 2,6 65 36738
Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
