Четверг, 19.02.2026, 08:19
Приветствую Вас, Гость
[ Новые сообщения · Участники · Правила форума · Поиск · RSS ]
  • Страница 1 из 1
  • 1
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
engineerklubДата: Четверг, 08.08.2024, 07:48 | Сообщение # 1
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37315
Репутация: 1
Статус: Offline
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01

Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ

Описание:
Лабораторная работа №1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА

1 Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основебазовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).

2 Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привестиуравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых базовых элементов. Количество типов ЦИМС и корпусов
ИМС должно быть по возможности минимальным.
2.3. На основе анализа данных задания обосновать выбор типа логики
(ТТЛ, ТТЛШ, КМДП) и подходящих по параметрам серий. При выбореИМСвозможно использование ИМС с различным типом логики (например, ТТЛ иТТЛШ, ТТЛШ и КМДП и т.д.) при условии их совместимости по параметрам,совместимости по питанию (все ИМС должны питаться от одного источника).
2.4. Выводы о результатах выполненной работы (в частности, можно указать и другие варианты реализации устройства).

3 Разработка цифрового устройства
3.1 Преобразование уравнения
Задано исходное уравнение: Y2=X1*X2*X3+X4*X5*X6

3.2 Формальная электрическая схема устройства.
3.3 Выбор типа логики
Выводы
Список использованных источников

Лабораторная работа №2
ИЗУЧЕНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ

1 Цель работы
Изучить типы, характеристики и параметры интегральных операционных усилителей (ИОУ).

2 Задание
2.1 Привести схему устройства на ИОУ, предусмотренную
индивидуальным заданием.
3.2 Пояснить назначение устройства, привести виды амплитудный и
амплитудно-частотной характеристик.
3.3 Оформить отчет о проделанной работе, отчет должен содержать:
- схему устройства;
- виды характеристик (амплитудной и АЧХ);
- список использованных источников информации.

3 Выполнение работы
В соответствии с вариантом, требуется изучить узкополосный LC-фильтр.
Схема узкополосного LC-фильтра приведена на рисунке 3.1.

СКАЧАТЬ
 
engineerklubДата: Четверг, 08.08.2024, 07:50 | Сообщение # 2
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37315
Репутация: 1
Статус: Offline
Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ

Описание:
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ

Содержание

1 Задание. 3
2 Исходные данные 3
3 Определение выигрыша во времени безотказной работы 5
4 Определение выигрыша по занимаемому объему 7
5 Определение выигрыша в массе 9
6 Определение выигрыша по потребляемой мощности 10
7 Определение выигрыша в стоимости 12
Выводы 13

1 Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.

2 Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.

Таблица 2.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 01
Тип наноизделия: IntelCore 2 Duo E6300
Тип транзистора: KT316A
Тип ЭВП: 6С62Н
Тип БИС: ATF1500AL

СКАЧАТЬ
 
  • Страница 1 из 1
  • 1
Поиск:

Рейтинг@Mail.ru