Вторник, 17.02.2026, 15:55
Приветствую Вас, Гость
[ Новые сообщения · Участники · Правила форума · Поиск · RSS ]
  • Страница 1 из 1
  • 1
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Для вс
engineerklubДата: Среда, 04.12.2024, 08:38 | Сообщение # 1
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37265
Репутация: 1
Статус: Offline
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Для всех вариантов

Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ

Описание:
Лабораторная работа №1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

5 Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов. Результаты занести в таблицу 1.4.
5.5 На графике №2 привести вольтамперную характеристику диода Д7Ж при обратном включении. По графику определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления диода при напряжении 3 В.
5.6 На графике №3 привести ВАХ стабилитрона IСТ=f(UСТ).
5.7 Привести осциллограммы, полученные при исследовании выпрямителя (сигнал на входе и на выходе). Осциллограммы располагать одна под другой без сдвига по времени.
5.8 Сделать выводы по проделанной работе.

Лабораторная работа №2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
1. Цель работы

Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).

5. Содержание отчета
5.1 Тип исследуемого транзистора .
5.2 Схемы исследования.
5.3 Таблицы результатов измерений
5.4 Графики входных и выходных характеристик для схем с ОБ и с ОЭ, построенных по результатам измерений. При построении семейства характеристик (несколько характеристик на одних осях) подписать каждую из характеристик. Например, при построении выходных характеристик в схеме с ОЭ около каждой характеристики необходимо указать чему равен ток базы. Примеры графиков даны ниже.
5.5 Осциллограммы входного и выходного сигналов транзисторного усилителя для трех случаев (режим отсечки, режим насыщения, активный режим).
5.6 Сделать выводы по работе.

Лабораторная работа №3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
1. Цель работы

Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

5. Указания к составлению отчета
Отчет должен содержать:
5.1 Схемы исследований транзистора.
5.2 Таблицы с результатами исследований.
5.3 График характеристики прямой передачи
5.4 Семейство выходных характеристик
5.5 Определить крутизну в двух точках характеристики прямой передачи: при напряжении UЗИ= 0 В и UЗИ= 0,5∙UЗИ0
5.6 Привести осциллограммы работы усилителя

СКАЧАТЬ
 
  • Страница 1 из 1
  • 1
Поиск:

Рейтинг@Mail.ru