Воскресенье, 11.01.2026, 13:42
Приветствую Вас, Гость
[ Новые сообщения · Участники · Правила форума · Поиск · RSS ]
  • Страница 1 из 1
  • 1
Форум » Электрооборудование, Электротехника, Электрические сети и системы » Работы Зачетная, Лабораторная, Контрольная » Силовая электроника. МФПУ «Синергия», МОИ, МТИ, МОСАП (ТЕСТ)
Силовая электроника. МФПУ «Синергия», МОИ, МТИ, МОСАП
engineerklubДата: Среда, 13.08.2025, 04:53 | Сообщение # 1
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 36404
Репутация: 0
Статус: Offline
Силовая электроника. МФПУ «Синергия», МОИ, МТИ, МОСАП

Тип работы: Тесты
Сдано в учебном заведении: МТИ МосТех МосАП МФПУ Синергия

Описание:
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
полевого транзистора с горизонтальным каналом
униполярного транзистора
полевого транзистора с вертикальным каналом
биполярного транзистора
В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
полевые транзисторы с изолированным затвором
биполярные транзисторы с изолированным затвором БТИЗ и IGBT-транзисторы
силовые биполярные транзисторы
СИТ - транзисторы
В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения
в три раза превышает частоту питающей сети
равна частоте питающей сети
в три раза меньше частоты питающей среды
в шесть раз превышает частоту питающей среды
Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
УКД – устройство контроля и диагностики
КА – блок коммутационной аппаратуры
ФИУ – формирователь импульсов управления
БОИ – блок обработки информации
Быстро восстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
время обратного восстановления - до 50 мкс
прямой ток - в диапазоне от 10 до 1000 А
обратное напряжение от 50 до 3000 В
время восстановления обратного сопротивления до 1000нс
Быстродействие IGBT транзистора
выше быстродействия полевых транзисторов
ниже быстродействия полевых транзисторов
выше быстродействия биполярных транзисторов
ниже быстродействия биполярных транзисторов
Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором
входного биполярного n-p-n-транзистора
выходного биполярного n-p-n-транзистора
выходного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором
В активном режиме работы биполярного транзистора
выходной ток обратно пропорционален входному току
выходной ток равен входному току
выходной ток не зависит от входного тока
выходной ток прямо пропорционален входному току
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
2π / 3
π / 6
π / 2
π / 3
IGBT транзистор не находит применение в области
высоких напряжений
высоких частот
высоких мощностей
высоких токов коммутации
SIT транзисторы производятся с каналами
только p-типа
только n-типа
n-типа
p-типа
В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
коллектор-база - в обратном направлении
эмиттер-база - в прямом направлении
коллектор-база - в прямом направлении
эмиттер-база - в обратном направлении
В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
встроенный светоизлучатель
встроенный светоприемник
импульсная схема управления
интегральная схема управления
В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения
индуктивном
инверсном
отсечки
импульсном
В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:
DМОП - структуры
МОП - структуры
МДП - структуры
VМОП - структуры

СКАЧАТЬ
 
Форум » Электрооборудование, Электротехника, Электрические сети и системы » Работы Зачетная, Лабораторная, Контрольная » Силовая электроника. МФПУ «Синергия», МОИ, МТИ, МОСАП (ТЕСТ)
  • Страница 1 из 1
  • 1
Поиск:

Рейтинг@Mail.ru