| engineerklub | Дата: Суббота, 08.11.2025, 11:03 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 36268
Статус: Offline
| Силовая электроника (тема 1-10), 102 вопроса (ответы на тест Синергия / МТИ / МОИ / МосАП)
На рисунке изображена…
Носитель положительного заряда полупроводника диода называется…
Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с двумя выводами и одним …
На рисунке изображена структурная схема…
Вывод полупроводникового диода, подсоединенный к p-слою называется…
Вывод полупроводникового диода, подсоединенный к n-слою называется…
Диффузионный ток через p-n переход полупроводникового диода вызван…
Дрейфовый ток через p-n переход полупроводникового диода вызван…
На схеме электронно-дырочного перехода под буквами «а», «б», «в» изображены соответственно…
Что не относится к параметрам силовых диодов?
Что относится к параметрам силовых диодов?
При подключении к полупроводниковому диоду внешнего источника прямого напряжения напряженность потенциального барьера в ОПЗ…
При подключении к полупроводниковому диоду обратного напряжения напряженность потенциального барьера в ОПЗ…
На реальной вольтамперной характеристике силового диода значение URRM - это …
Активный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами и тремя выводами – это…
Семейство входных характеристик биполярного транзистора выражает зависимость…
Семейство выходных характеристик биполярного транзистора выражает зависимость…
Семейство характеристик прямой передачи биполярного транзистора выражает зависимость…
Что не относится к основным статическим параметрам биполярных транзисторов?
Что относится к основным статическим параметрам биполярных транзисторов?
Схема Дарлингтона – это…
На каком из рисунков изображена цепь формирования траектории переключения (ЦФТП) на включение активно-индуктивной нагрузки на основе стабилитрона?
На каком из рисунков изображена ЦФТП на включение активно-индуктивной нагрузки на основе обратного диода?
Какой участок на рисунке соответствует максимальному допустимому значению напряжения коллектор-эмиттер транзистора, превышение которого приводит к пробою структуры транзистора и выходу его из строя?
Тепловой пробой транзистора возникает…
Вторичный пробой транзистора возникает…
Усилительный и переключательный полупроводниковый прибор, ток в котором управляется электрическим полем и обусловлен дрейфовым движением основных носителей – это…
Выходной вольтамперной характеристикой полевого транзистора с управляющим p–n-переходом является зависимость…
Входной вольтамперной характеристикой полевого транзистора с управляющим p–n-переходом является зависимость…
Что не относится к статическим параметрам силового полевого транзистора?
Что относится к динамическим параметрам силового полевого транзистора?
Полупроводниковый прибор, содержащий четыре слоя с разным типом проводимости, способный под действием управляющего сигнала переходить из закрытого в открытое состояние- это…
Какие тиристоры не относятся к полностью управляемым?
В тиристорах с неполной управляемостью…
В полностью управляемых тиристорах …
Вывод, подсоединяемый к внешнему p-слою тиристора, называется…
Вывод, подсоединяемый к внешнему n-слою тиристора, называется…
Вывод, подсоединяемый к внутреннему p-слою (n-слою) тиристора, называется…
Какие сигналы необходимо подать, чтобы включить тиристор?
ВАХ какого прибора изображена на рисунке?
Что не относится к параметрам цепи управления тиристором?
Максимально допустимая амплитуда импульса аварийного тока синусоидальной формы длительностью 10 мс – это…
Максимально допустимый средний прямой ток, определяемый в однофазной однополупериодной схеме выпрямления при синусоидальном токе с частотой 50 Гц, угле проводимости 180, допустимой температуре кристалла или корпуса и заданных условиях охлаждения – это...
Наименьший интервал времени от момента спада тока до нуля, до момента перехода анодного напряжения через нуль без включения тиристора – это время…
Максимальное напряжение, которое каждый период может прикладываться к тиристору – это…
Эквивалентная схема какого прибора изображена на рисунке?
Полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трехслойная p–n-структура – это…
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
