| engineerklub | Дата: Пятница, 15.05.2026, 17:40 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 39110
Статус: Offline
| Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
1. Исходные данные
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (таблица 1.1).
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, показаны в таблицах 1.2 – 1.5.
Интенсивности отказов элементов показаны в таблице 1.6.
Таблица 1.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
12 Intel Core 2 Extreme X 6800 KT306AM 6С65Н ATF2500BQL
Таблица 1.2 – Параметры наноизделия
Параметр Значение
Наименование процессора Intel Core 2 Extreme X 6800
Количество элементов, млн 291
Количество выводов 775
Потребляемая мощность, Вт 55–75
Тактовая частота, ГГц 2,93
Площадь S, кв. мм 144
Напряжение питания, В 0,85–1,36
Высота h, мм 2,6
Технология, нм 65
Масса, г 21,5
Цена, руб. 25850
Таблица 1.3 – Параметры транзистора
Параметр Значение
Наименование KT306AM
Iпотр, мА 40
Uпит, В 10
Диаметр, мм 7,3
Высота, мм 4
Масса, г 0,65
Цена, руб. 4,57
Таблица 1.4 – Параметры ЭВП
Параметр Значение
Тип 6С65Н
Ток накала, мА 135
Напряжение накала, В 6,3
Ток анода, мА 8,5
Напряжение на аноде, В 150
Число выводов 18
Диаметр, мм 11
Высота, мм 20,3
Масса, г 2,5
Цена, руб. 1810
Таблица 1.5 – Параметры БИС
Параметр Значение
Наименование ATF2500BQL
Iпот, мА 2
Nэлем 6000
Uпит, В 5,0
Nвывод 40
Площадь, мм2 676
Высота, мм 3,5
Масса, г 30
Цена, руб. 2899,26
Таблица 1.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01
2. Задания к практическим занятиям
2.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
