|
Физические основы электроники. Вариант 10
|
|
| engineerklub | Дата: Пятница, 31.07.2026, 06:13 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 39565
Статус: Offline
| Физические основы электроники. Вариант 10
Контрольная работа по курсу ФОЭ
«Определение параметров и выбор полупроводниковых диодов»
Цель работы
a) Научиться рассчитывать параметры диодов.
b) Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам.
c) Научиться производить выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств.
Таблица А1 – Исходные данные для заданий 1,2,3
Вариант: 10
Тип диода VD: ГД402А
R,Ом: 7,5
U,В: 0,9
Задание 1
Цепь состоит из последовательно включенного диода VD и резистора R (см. рисунок 1). На ВАХ диода (Приложение Б) построить нагрузочную прямую при заданном U. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке при Т = 20 ОС.
Рисунок 1 – Однополупериодный выпрямитель
Задание 2
Для двух точек (одна в середине прямой ветви ВАХ (Приложение Б), другая – в середине обратной) при Т = 20°С определить дифференциальное сопротивление и сопротивление постоянному току. Сравнить сопротивления прямой и обратной ветвей, сделать выводы.
Задание 3
Для тех же значений тока и напряжения определить дифференциальное сопротивление и сопротивление постоянному току диода при повышенной температуре. Сравнить со значениями предыдущей задачи, сделать выводы.
Задание 4
Для простейшего однополупериодного выпрямителя (рисунок 1) с заданными значениями среднего выпрямленного тока IВЫП СР и среднего напряжения UВЫП СР выбрать полупроводниковый диод (диоды, столбы или блоки). Привести параметры выбранного прибора.
Таблица А2 – Исходные данные для задания 4
Вариант: 10
Uвыпр, В: 130
Iвыпр,мА: 1500
Задание 5
Составить схему, пользуясь справочником выбрать стабилитрон для простейшего стабилизатора напряжения при известных значениях входного (нестабилизированного) напряжения UВХ, выходного (стабилизированного) напряжения UСТ и тока нагрузки IН.
Рассчитать величину ограничительного (гасящего) сопротивления RГ. Проверить, не выйдет ли стабилитрон за пределы участка стабилизации при изменении входного напряжения от UВХ МИН до UВХ МАКС. Если условие не выполняется – добиться выполнения условий и повторно провести проверку.
Таблица А3 – Исходные данные для задания 5
Вариант: 10
Uст,В: 9,1
Uвх,В: 16,5
Iн,мА: 10
Uвх мин,В: 15
Uвх макс,В: 18
Задание 6
Выбрать варикап для настройки колебательного контура и определить для него рабочее напряжение, при котором контур с индуктивностью L (рис. 6) будет настроен на частоту f. Привести характеристику варикапа. UОБР НОМ =4В.
Рисунок 6 – Колебательный контур
Таблица А4 – Исходные данные для задания 6
Вариант: 10
f, МГц: 18,2
L, мкГн: 8
Сном, пФ: 30
Список использованных источников
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
| engineerklub | Дата: Пятница, 31.07.2026, 06:14 | Сообщение # 2 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 39565
Статус: Offline
| Лабораторная работа №1
ИЗУЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы:
Получить навыки определения дифференциальных параметров полевого транзистора (ПТ) и исследовать их зависимость от режима работы ПТ.
2. При подготовке к работе необходимо:
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур. 2.1.2 Статические характеристики и эксплуатационные параметры ПТ. 2.1.3 Дифференциальные параметры ПТ, их определение по характеристикам и измерение на переменном токе.
2.2 Ответить на контрольные вопросы:
2.2.1Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом.
2.2.2 Объяснить устройство МДП транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.
2.2.3 Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.
2.2.4 Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ с p-n переходом.
2.2.5 Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик МДП транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.
2.2.6 Объяснить физический смысл и определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.
2.2.7 Привести схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов и измерения дифференциальных параметров на переменном токе для различных ПТ с каналами типа «p» и «n».
Задание на работу:
По выходным характеристикам полевого транзистора (Приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении сток-исток UСИ. Определить дифференциальные параметры S, Ri, μ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи приведены в таблице П.1.1 Приложения1
Вольт-амперные характеристики транзисторов приведены в Приложении 2.
Таблица 1 – Вариант задания
№ варианта: 10
Тип ПТ: КП 903 А
UСИ0, В: 10
UЗИ0, В: -8
Ответы на контрольные вопросы
1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом.
2. Объяснить устройство МДП транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.
3. Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.
4. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ с p-n переходом.
5. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик МДП транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.
6. Объяснить физический смысл и определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.
7. Привести схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов и измерения дифференциальных параметров на переменном токе для различных ПТ с каналами типа «p» и «n».
Список использованных источников
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
| engineerklub | Дата: Пятница, 31.07.2026, 06:14 | Сообщение # 3 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 39565
Статус: Offline
| Лабораторная работа №2
ИЗУЧЕНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы:
Научится определять дифференциальные параметры биполярных транзисторов по вольт-амперным характеристикам и выяснить влияние на них режима работы транзистора.
2. При подготовке к работе необходимо:
2.1 Изучить следующие разделы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Принцип действия БТ, основные физические процессы.
2.1.3 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.4 Дифференциальные параметров биполярных транзисторов в схеме ОБ и ОЭ: физический смысл, условия измерения на переменном токе и определение по статическим характеристикам.
2.1.5 Влияние режима работы на параметры БТ.
2.2 Ответить на контрольные вопросы:
2.2.1 Устройство плоскостного биполярного транзистора.
2.2.2 Принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
2.2.3 Схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n.
2.2.4 Написать уравнения коллекторного тока для схем ОБ и ОЭ.
2.2.5 Нарисовать и объяснить входные и выходные характеристики транзистора для схем ОБ и ОЭ.
2.2.6 Показать на входных и выходных характеристиках области, соответствующие режимам: активному, отсечки и насыщения.
2.2.7 Какие факторы ограничивают рабочую область выходных характеристик транзистора?
2.2.8 Дайте определение дифференциальным параметрам БТ.
2.2.9 Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h11.
2.2.10 Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h21.
2.2.11 Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h12.
2.2.12 Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h22.
2.2.13 Покажите определение дифференциальных параметров БТ по соответствующим характеристикам.
3. Задание на работу:
Рассчитать по характеристикам биполярного транзистора VT дифференциальные h-параметры при заданном напряжении на коллекторе UКЭ и построить их зависимости для различных токов базы IБ0.
В таблице П1.1 приведены исходные данные для выполнения ЛПР Биполярные транзисторы.
Таблица 1 – Вариант задания
№ варианта: 10
Тип БТ: КТ903А
UКЭ, В: 20
Ответы на контрольные вопросы
1. Устройство плоскостного биполярного транзистора.
2. Принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
3. Схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n.
4. Написать уравнения коллекторного тока для схем ОБ и ОЭ.
5. Нарисовать и объяснить входные и выходные характеристики транзистора для схем ОБ и ОЭ.
6. Показать на входных и выходных характеристиках области, соответствующие режимам: активному, отсечки и насыщения.
7. Какие факторы ограничивают рабочую область выходных характеристик транзистора?
8. Дайте определение дифференциальным параметрам БТ.
9. Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h11.
10. Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h21.
11. Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h12.
12. Физический смысл и условия измерения на переменном токе параметра h22.
13. Покажите определение дифференциальных параметров БТ по соответствующим характеристикам.
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
