|
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12
|
|
| engineerklub | Дата: Среда, 06.01.2021, 10:26 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 30229
Статус: Offline
| Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12
Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ
Описание:
Вариант 12
Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода;
- энергетическую диаграмму р-n перехода;
- типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ);
- основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны.
3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6).
4. Выполнение указаний разделов 4 и 5.
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум
последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
ДИОДЫ
Zelex
BAV70
Стабилитрон
motor 1n
1N5935B
3 Задание на выполнение лабораторной работы
3.1 Расчётная часть работы
1. Выбрать диод, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров диода:
- предельно-допустимый постоянный прямой ток ;
- предельно-допустимое обратное напряжение .
Значения и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet.
2. Построить прямую ветвь ВАХ диода. Для построения прямой ветви ВАХ использовать формулу 2.2.
3. Задать 6 значений прямого тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.1. Полученные значения являются рекомендуемыми, их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа.
Таблица 3.1 - Прямая ветвь ВАХ диода типа ...
4. Выбрать стабилитрон, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров стабилитрона:
- минимальный ток стабилизации ;
- максимальный ток стабилизации ;
- номинальное напряжение стабилизации .
Значения , и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet.
5. Построить обратную ветвь ВАХ стабилитрона. Для построения обратной ветви ВАХ использовать формулу 2.4.
6. Задать 5 значений обратного тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.2. Полученные значения являются рекомендуемыми, их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа.
Таблица 3.2 - Обратная ВАХ стабилирона типа ...
СКАЧАТЬ
|
| |
| |
| engineerklub | Дата: Среда, 06.01.2021, 10:27 | Сообщение # 2 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 30229
Статус: Offline
| Вариант 12
Лабораторная работа №2
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3)
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- достоинства и недостатки полевых транзисторов;
- применение полевых транзисторов в элементарных схемах.
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении.
3 Задание на выполнение лабораторной работы
3.1 Расчетная часть работы
1. Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора.
2. По графику сток-затворной характеристики определить дифференциальную крутизну S, по графику выходных (стоковых) ВАХ определить дифференциальное выходное сопротивление , используя методические указания раздела 2.
3.2 Экспериметальная часть работы
1. Исследовать семейства проходных (сток-затворных) и выходных (стоковых) ВАХ полевого транзистора (тип транзистора выбирается из Приложения А в соответствии с вариантом) используя измерительные схемы рисунков Б.6 и Б.7.(в зависимости от типа транзистора). Исследования проводить по методическим указаниям раздела 4.
2. По полученным данным построить графические характеристики в одних осях с характеристиками, полученными по расчетам (3.1).
3. Рассчитать крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление.
Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
Motorola MMBF4391
Полевые транзисторы с индуцированным каналом
Philips
BF 909
СКАЧАТЬ
|
| |
| |
| engineerklub | Дата: Среда, 06.01.2021, 10:27 | Сообщение # 3 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 30229
Статус: Offline
| Вариант 12
Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
3 Задание на выполнение лабораторной работы
В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.
Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 6,7А
Е2 = 320В
E1MAX =4,4В
Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,6А
Е2 = 148В
Комментарии: Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Элементная база телекоммуникационных систем
Вид работы: Лабораторная работа 1-3
Оценка: Зачет
СКАЧАТЬ
|
| |
| |
