| engineerklub | Дата: Пятница, 31.12.2021, 15:41 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37336
Статус: Offline
| Элементная база электронной техники. Вариант №11
Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ
Описание:
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Последняя цифра Rн, ОмU2, ВТип выпрямителя
1 200 220 Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить выбор стабилитрона из Приложения Б.
2.Осуществить проверку схемы по алгоритму, приведенному ниже.
Последняя цифра К-т передачи стабилизатора nст ΔUвх , % Uвх Iн, мА Δ Iн, мА
1 1,5 50 250 25
ЗАДАЧА 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
По заданным характеристикам, приведенным в таблице 3.1 выбрать тран-зисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов (для выхода в справочник необходимо пройти по ссылке: https://alltransistors.com/ru/) и найти типы транзисторов, удовлетворяющих заданным условиям
Таблица 3.1 – Исходные данные для поиска транзистора
Ucb =
50 В
Uce =
45 В
Ic =
0,8 А
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
| engineerklub | Дата: Пятница, 31.12.2021, 15:42 | Сообщение # 2 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37336
Статус: Offline
| Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ
Описание:
Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ ВАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона.
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
1. ВАХ диода
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
предельно-допустимый постоянный прямой ток
мА 300 FMMD914
предельно-допустимое обратное напряжение .
В 75
Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.
Расчет и испытание транзисторного ключа
1.1Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Расчетная часть
Таблица 1.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Наименование
Е2 E1max h 21ОЭ Марка транзистора 2SC945
IБ УПР Номиналы резисторов
UКЭ max IК max RК Rб
Единицы измерения A B B B A A Ом Ом
Параметр 0,1 26 4,1 135 50 0,1 0,0073 260 459
ПО ПАРАМЕТРАМ ПОДХОДИТ ТРАНЗИСТОР 2SC945:
〖U" В В" 〗_(КЭ MAX)
〖I" " "А" _КОМ " А" 〗_(К MAX)
H_21Э=20.
I_(Б,ТР)=(10⋅I_КОМ)/H_21ОЭ =(10⋅0.1)/135=0.0073" А"
R_K≈E2/I_КОМ =26/0.1=260" ОМ"
R_Б≈E_1MAX/(I_(Б,ТР) (4.1-0.7)/0.0073 " ОМ" )
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
