| engineerklub | Дата: Понедельник, 11.04.2022, 06:53 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37397
Статус: Online
| Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 18
Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ
Описание:
Задача №1. Выбор типа диодов для выпрямителей.
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам.
2. Выбрать все типы диодов, с параметрами, удовлетворяющими услови-ям.
Исходные данные:
Rн = 100 Ом,
U2 = 110 В,
Тип выпрямителя - Мостовая схема.
Задача 2. Выбор стабилитронов для вторичных источников питания
Задание:
1. Осуществить выбор стабилитрона.
2. Осуществить проверку схемы.
Исходные данные:
Коэффициент передачи стабилизатора nст – 2,5,
- 20%,
Iн - 100 мА,
Δ Iн – 10,5 мА.
Задача 3. Автоматизированный поиск транзистора
По заданным характеристикам выбрать транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов и найти типы транзи-сторов, удовлетворяющих заданным условиям.
Исходные данные:
Uds = 30 В,
Id = 3 А,
Ugs = 20 В.
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
| engineerklub | Дата: Понедельник, 11.04.2022, 06:54 | Сообщение # 2 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37397
Статус: Online
| Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ
Описание:
Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода;
- энергетическую диаграмму р-n перехода;
- типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ);
- основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны.
3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6).
4. Выполнение указаний разделов 4 и 5.
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
3.1 Расчётная часть работы
Выберем диод, в соответствии с вариантом и запишем значения следующих параметров диода BYM11-800:
предельно-допустимый постоянный прямой ток I_прmax= 1000 мА;
предельно-допустимое обратное напряжение U_обрmax = 800 В.
Значения I_прmax и U_обрmax найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet.
Лабораторная работа №2
Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов
Транзистор с управляющим p-n переходом
Расчетная часть
Таблица 1.1 – Характеристики транзистора с управляющим p-n переходом
Марка транзистора (тип канала) .Motorola MMBF48600, n-канал
Параметры I_cmax U_cиmax U_зиmax U_(зи отс)
Ед.изм. A B B B
Количественные значения 0,05 30 -6 -6
ВАХ полевого транзистора на участке, соответствующем линейному режиму, аппроксимируется выражением:
I_C=I_CНАЧ [2(1-U_ЗИ/U_ЗИОТС )(U_СИ/(-U_ЗИОТС ))-(U_СИ/U_ЗИОТС )^2 ].
В режиме насыщения можно использовать формулу:
I_C=I_CНАЧ (1-U_ЗИ/U_ОТС )^2.
Таблица 1.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом
№ U_зиотс, В U_зи,В U_зи,В
(рассчитанные значения) U_си=0.01U_cиmax,B U_си= 0.5U_cиmax,В
0,3 15
I_с, mA I_с, mA
1. 6 0.95U_(зи отс) 5,7 0,125 0,125
2. 0.75U_(зи отс) 4,5 1,125 3,125
3. 0.5U_(зи отс) 3 2,375 12,5
4. 0.25U_(зи отс) 1,5 3,625 28,125
5. 0 0 4,875 50
Лабораторная работа №3
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы:
1. Изучить основные принципы работы ключевых схем
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Расчетная часть
Таблица 1.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Наименование
Е2 E1max h 21ОЭ Марка транзистора KT3102D
IБ УПР Номиналы резисторов
UКЭ max IК max RК Rб
Единицы измерения А В В - В А мА Ом кОм
Параметр 0,08 14 4,3 500 30 0,2 1,6 175 2,25
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
