| engineerklub | Дата: Пятница, 27.05.2022, 09:21 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37408
Статус: Offline
| Исследование характеристик полевых транзисторов Вариант 03
Тип работы: Работа Лабораторная
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание:
Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3)
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- достоинства и недостатки полевых транзисторов;
- применение полевых транзисторов в элементарных схемах.
3.1 Расчетная часть работы
1. Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора.
2. По графику сток-затворной характеристики определить дифференциальную крутизну S, по графику выходных (стоковых) ВАХ определить дифференциальное выходное сопротивление , используя методические указания раздела 2.
3.2 Экспериментальная часть работы
1. Исследовать семейства проходных (сток-затворных) и выходных (стоковых) ВАХ полевого транзистора (тип транзистора выбирается из Приложения А в соответствии с вариантом) используя измерительную схему, приведенную на рисунке Б.6. Исследования проводить по методическим указаниям раздела 4.
2. По полученным данным построить графические характеристики в одних осях с характеристиками, полученными по расчетам (3.1).
3. Рассчитать крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление по экспериментальным характеристикам.
4.1.1 Расчет характеристик транзисторов с управляющим p-n переходом
Выбрать тип (марку) полевого транзистора с управляющим p-n переходом из Приложения А. Для выбора характеристик используйте ресурсы Интернет
Выписать параметры исследуемого транзистора, используя ресурсы Internet:
a) Ic, mA - максимально допустимый постоянный ток стока;
b) Ucumax, В - предельно допустимое напряжение между стоком и истоком;
c) Uзuomc, В – напряжения отсечки для транзистора с управляющим p-n переходом;
d) Uзumax, В - предельно допустимое напряжение между затвором и истоком.
Занести значения и марку выбранного транзистора в таблицу 4.1.
Таблица 4.1 – Характеристики транзистора
Построить статическую стоко - затворную характеристику транзистора при 2-х фиксированных рекомендуемых значениях =const, вычисляемых по выражениям в первой строке таблицы 4.2.
Таблица 4.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом
- вычислить IС по формуле (2.2) и записать данные таблицу 4.2. Учесть, что все значения подставляются в формулу (2.2) по модулю. Если ответ будет иметь отрицательное значение, то в таблицу 4.2. записывается значение =0.
- построить семейство сток-затворных ВАХ.
4.1.2 Расчет характеристик транзисторов с индуцированным каналом
Выбрать тип (марку) полевого транзистора с индуцированным каналом из Приложения А.
Выписать параметры исследуемого транзистора, используя ресурсы Internet:
a) , mA - максимально допустимый постоянный ток стока;
b) , В - предельно допустимое напряжение между стоком и истоком;
c) , В - предельно допустимое напряжение между затвором и истоком;
d) , В - минимальное напряжение между затвором и истоком;
e) ,В – пороговое напряжение для транзистора с индуцированным каналом(выбрать максимальное значение порогового напряжения);
Занести значения и марку выбранного транзистора в таблицу 4.3.
Таблица 4.3 – Характеристики транзистора с индуцированным каналом
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
