| engineerklub | Дата: Вторник, 05.07.2022, 15:44 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37408
Статус: Offline
| Схемотехника телекоммуникационных устройств 1 вариант 3
Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание:
Лабораторная работа №1
“Исследование резисторного каскада предварительного усиления на
биполярном транзисторе”
1. Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с
эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления,
частотные и переходные характеристики).
2. Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
цепи питания и схемы смещения транзисторных каскадов усиления;
построение и использование нагрузочных прямых резисторного
каскада для постоянного и переменного токов на семействе выходных
статических характеристик;
свойства и особенности каскадов предварительного усиления;
назначение элементов принципиальной схемы резисторного каскада;
амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) резисторного каскада;
переходные характеристики резисторного каскада;
эквивалентные схемы и линейные искажения в резисторном каскаде;
расчетные соотношения для резисторного каскада.
2.2. Изучить принципиальную схему усилителя (рисунок 3.1).
2.3. Для заданной схемы рассчитать следующие параметры усилителя:
Коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент
усиления каскада.
Коэффициент частотных искажений каскада на частоте 40 Гц,
обусловленной влиянием емкости в цепи эмиттера Сэ (С5) и
разделительных конденсаторов Ср вх (С1) и Ср вых (С2). Определить общий
коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. При этом
учесть, что выходное сопротивление транзистора значительно больше
сопротивления в цепи коллектора R4.
Коэффициент частотных искажений Мв на частоте 100 кГц,
обусловленной динамической емкостью Сбэ дин транзистора и емкостью
нагрузки Сн (С3). Определить общий коэффициент частотных искажений,
вносимых этими элементами.
Время установления переднего фронта прямоугольного импульса
малой длительности (tи = 5мкс). При этом считать, что переходные
искажения в области малых времен определяется выходной цепью каскада:
tуст = 2,2 Сн Rэв вых, (2.1)
где Rэв вых – эквивалентное сопротивление выходной цепи каскада,
рассчитанное для диапазона верхних частот.
Спад плоской вершины прямоугольного импульса большой
длительности (tи = 5000мкс). Общий спад плоской вершины прямоугольного
импульса вследствие влияния разделительных емкостей равен:
общ = Ср вх + Ср вых , (2.2)
Исходные данные выбрать в соответствие с последней цифрой варианта:
транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц,
rбб = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 =
3мА.
Вариант 11
Тип транзистора KT 3102А
Параметр h21э 210
Ск, пФ 10
fh21э, МГц 1,6
rбб, Ом 105
Напряжение источника питания E0, В 13
Ток покоя транзистора iк0, мА 2,5
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
