|
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 03
|
|
| engineerklub | Дата: Среда, 24.08.2022, 14:24 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37408
Статус: Offline
| Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 03
Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание:
Лабораторная работа №1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСТРОЙСТВА
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
Варианты приведены в приложении А.
Вариант 03
Уравнение: Y2=X1*Х2*X3+X4*X5*X6
2. ЗАДАНИЕ
2.1 На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2 Составить формальную электрическую схему устройства и привести список необходимых базовых элементов. Количество типов ЦИМС и корпусов ИМС должно быть по возможности минимальным.
2.3 На основе анализа данных задания обосновать выбор типа логики (ТТЛ, ТТЛШ, КМДП) и подходящих по параметрам серий. При выборе ИМС возможно использование ИМС с различным типом логики (например, ТТЛ и ТТЛШ, ТТЛШ и КМДП и т.д.) при условии их совместимости по параметрам, совместимости по питанию (все ИМС должны питаться от одного источника).
2.4 Выводы о результатах выполненной работы (в частности, можно указать и другие варианты реализации устройства).
В задании приведены уравнения с параметрами Y и Х. В этих уравнениях Y1, Y2, Y3, Y4 – выходные логические сигналы устройства, Х1, Х2, Х3, Х4, Х5, Х6, X7, X8 – входные логические сигналы (их количество в разных вариантах может быть до восьми).
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
| engineerklub | Дата: Среда, 24.08.2022, 14:25 | Сообщение # 2 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37408
Статус: Offline
| Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание:
Лабораторная работа №2
ИЗУЧЕНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить типы, характеристики и параметры интегральных операционных усилителей (ИОУ).
2. ПОДГОТОВКА К РАБОТЕ
Изучить следующие вопросы курса:
– методика автоматизированного поиска перспективных изделий электронной техники;
– определение ИОУ;
– классификация ИОУ;
– структурные схемы ИОУ;
– поколения ИОУ;
– амплитудная характеристика инвертирующего ИОУ;
– амплитудная характеристика неинвертирующего ИОУ;
– амплитудно-частотная характеристика ИОУ;
– параметры идеального ИОУ;
– параметры реальных ИОУ;
– параметрическая модель ИОУ;
– определение параметров ИОУ по характеристикам.
3. ЗАДАНИЕ
3.1 Привести схему устройства на ИОУ, предусмотренную индивидуальным заданием.
3.2 Пояснить назначение устройства, привести виды амплитудный и амплитудно-частотной характеристик.
3.3 Оформить отчет о проделанной работе, отчет должен содержать:
- схему устройства;
- виды характеристик (амплитудной и АЧХ);
- список использованных источников информации.
Вариант 03
Схема устройства: Узкополосный LC-фильтр
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
| engineerklub | Дата: Среда, 24.08.2022, 14:26 | Сообщение # 3 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37408
Статус: Offline
| Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание:
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 5
3. Выполнение расчётов 6
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 6
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 8
3.3. Определение выигрыша в массе 9
3.4. Определение выигрыша по потребляемой мощности 10
3.5. Определение выигрыша в стоимости 11
Список использованных источников 12
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
1. Исходные данные
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (таблица 1.1).
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, показаны в таблицах 1.2–1.5.
Интенсивности отказов элементов показаны в таблице 1.6.
Таблица 1.1 ‒ Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 3
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5060
Тип транзистора: KT325Б
Тип ЭВП: 6С52Н
Тип БИС: ATF1502ASV
2. Задания к практическим занятиям
2.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
