| engineerklub | Дата: Суббота, 07.01.2023, 17:21 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37427
Статус: Offline
| Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 15
Тип работы: Работа Контрольная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ
Описание:
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
1. Исходные данные
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (таблица 1.1).
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, показаны в таблицах 1.2–1.5.
Интенсивности отказов элементов показаны в таблице 1.6.
Таблица 1.1 ‒ Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 15
Тип наноизделия: Intel Core 2 Duo E6400
Тип транзистора: КТ382АМ
Тип ЭВП: 6Э12Н
Тип БИС: ATF1508ASVL
2. Задания к практическим занятиям
2.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
