|
Силовая электроника. МФПУ Синергия, МОИ
|
|
| engineerklub | Дата: Воскресенье, 26.02.2023, 06:26 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37439
Статус: Offline
| Силовая электроника. МФПУ Синергия, МОИ
Тип работы: Тесты
Сдано в учебном заведении: МФПУ "Синергия"
Описание:
1. Основными видами перегрузок по напряжению не являются
характер подключенной нагрузки
коммутационные процессы
воздействие питающей сети
короткое замыкание цепи нагрузки
2. Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
обратноходовые
импульсно-ходовые
прямоходовые
интервально-ходовые
3. Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
Обратноходовые
импульсно-ходовые
прямоходовые
интервально-ходовые
4. Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
открытом состоянии и характеризуется очень малым током
закрытом состоянии и характеризуется очень малым током
закрытом состоянии и характеризуется очень большим током
открытом состоянии и характеризуется очень большим током
5. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
преобразователь числа фаз
выпрямитель
трансформатор
преобразователь частоты
6. К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
энергия потерь при выключении
максимально допустимое напряжение затвор-исток
выходная емкость
максимально допустимый ток стока
7. К недостаткам МОП-транзисторов относится
малое значение входной емкости
большое значение входной емкости
повышенное сопротивление в проводящем состоянии
очень низкое сопротивление в проводящем состоянии
8. Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
соответственно к верхней и нижней монтажным шинам схемам
перекрестно к противоположным монтажным шинам
схемы последовательно с силовым ключом
параллельно силовому ключу
9. Для включения тиристора SCR необходимо
подать отрицательное напряжение между анодом и катодом
снизить анодный ток до минимальной величины
подать положительное напряжение между анодом и катодом
подать импульс управления на управляющий электрод
10. К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
время спада тока коллектора
максимально допустимый ток коллектора
ток обратного смещенного коллекторного перехода
время нарастания тока коллектора
11. Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
низкими значениями обратного напряжения и прямого тока
низкими значениями обратного напряжения и обратного тока
12. Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
от 25 до 100 мкс
от 1 до 5 мкс
от 25 до 100 нс
от 1 до 5 нс
13. Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
высокое входное сопротивление
меньшее напряжение в открытом состоянии
высокие частотные характеристики
низкий ток коммутации
14. Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
повреждение силового ключа
накопление зарядов в ключевых компонентах схемы
влияние паразитных элементов схемы и монтажа
рассасывание зарядов в ключевых компонентах схемы
15. Пульсность выпрямителя
обратно пропорциональна частоте пульсации
прямо пропорциональна частоте питающего напряжения
прямо пропорциональна частоте пульсации
обратно пропорциональна частоте питающего напряжения
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
| engineerklub | Дата: Воскресенье, 26.02.2023, 06:26 | Сообщение # 2 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37439
Статус: Offline
| 16. Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
полевого транзистора с горизонтальным каналом
униполярного транзистора
полевого транзистора с вертикальным каналом
биполярного транзистора
17. Быстродействие IGBT транзистора
выше быстродействия полевых транзисторов
ниже быстродействия полевых транзисторов
выше быстродействия биполярных транзисторов
ниже быстродействия биполярных транзисторов
18. В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
в шесть раз превышает частоты питающей сети
в три раза меньше частоты питающей сети
равна частоте питающей сети
в три раза превышает частоту питающей сети
19. Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
ключевых транзисторов, работающих под управлением синхроимпульсов
полупроводниковых диодов, работающих под управлением синхроимпульсов
трансформатора, который перемагничивается в момент перехода синхронизирующего напряжения через нуль
сравнивающего устройства в интегральном исполнении
20. В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
коллектор-база - в обратном направлении
эмиттер-база - в прямом направлении
коллектор-база - в прямом направлении
эмиттер-база - в обратном направлении
21. Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
преобразователь частоты
инвертор
выпрямитель
регулятор переменного значения
22. В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
исток
подложку
затвор
сток
23. К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
высокий уровень собственных шумов
высокое входное сопротивление в схеме с общим истоком (ОИ)
отсутствие вторичного пробоя
низкая плотность размещения элементов при изготовлении интегральных схем
24. В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности
обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока
25. Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
функционального назначения преобразовательных устройств
конструкции преобразовательного устройства
типа преобразовательных устройств
элементной базы электронных ключей
26. В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
включение осуществляется при спаде тока через прибор до нуля
выключение осуществляется сигналом управления
включение осуществляется сигналом управления
выключение – при спаде тока через прибор до нуля
27. К аппаратам низкого напряжения не относятся
аппараты управления и защиты
аппараты автоматического регулирования
шунтирующие реакторы
аппараты автоматики
28. В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
в четыре раза меньшей выходной частоты инвертора
в два раза превышает выходную частоту инвертора
в четыре раза превышает выходную частоту инвертора
в два раза меньшей выходной частоты инвертора
29. В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
база
коллектор
подложка
эмиттер
30. При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
от 10 до 100 А/мкс
от 1 до 100 А/мкс
от 1 до 10 А/мкс
от 10 до 1000 А/мкс
31. В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
фазосдвигающее устройство (ФСУ)
нуль-орган (НО)
генератор пилообразного напряжения (ГПН)
компаратор (К)
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
| engineerklub | Дата: Воскресенье, 26.02.2023, 06:27 | Сообщение # 3 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 37439
Статус: Offline
| 32. В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
увеличения мощности, потребляемой ФИУ
повышения частотных характеристик ФИУ
снижения частотных характеристик ФИУ
снижения мощности, потребляемой ФИУ
33. Величина заряда обратного восстановления силового диода
прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала
прямо пропорциональна частоте коммутации
обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления
прямо пропорциональна энергии обратного восстановления
34. Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
порядка 0,1 А
порядка 0,5 А
порядка 0,3 А
порядка 0,2 А
35. К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
разъединители и отделители
ограничители перенапряжений
шунтирующие реакторы
разделительные трансформаторы
36. Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
от 10 до 20 А
от 20 до 40 мА
от 10 до 20 мА
от 20 до 40 А
37. Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости
быстродействующий диод
низкочастотный диод
шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости
38. Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
симисторы (триаки)
однооперационные тиристоры
МОП-транзисторы
биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
39. Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
напряжение отсечки равно нулю
напряжение отсечки имеет отрицательное значение
при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в закрытом состоянии
при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в открытом состоянии
40. Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
улучшаются частотные и динамические свойства прибора
снижается мощность потерь
ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
возрастает мощность потерь
41. Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде
напряжение на аноде равно напряжению на катоде
напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде
напряжения на аноде и катоде отсутствуют
42. Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)
транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)
МОП - транзисторы (металл -окисел-полупроводник)
МДП - транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник
43. В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
электрического поля, перпендикулярного направлению тока
электрического поля, параллельного направлению тока
тока, перпендикулярного направлению напряжения
тока, параллельного направлению напряжения
44. К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
низкий коэффициент передачи тока
температурная нестабильность параметров
большая задержка передачи сигналов
потенциальная развязки информационного сигнала
45. К новым типам комбинированных транзисторов относятся
транзисторы со статической индукцией
биполярные транзисторы с изолированным затвором
симистор
полевой тиристор МСТ
46. В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
СКАЧАТЬ
|
| |
|
|
